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非对称量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起人们的广泛关注，而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器件具有重要的理论指导意义。以Poschl-Teller势阱为例研究了影响非对称量子阱中的非线性光学吸收系数的因素。考虑到带间的电子弛豫，用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了Poschl-Teller势阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式。因该势阱中有两个可调参数，通过调节系统的参数，发现该系统的非线性光学吸收系数呈规律性的变化。以典型的GaAs／AIGaAs非对称量子阱为例作了数值