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目的探讨电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能的影响及其机制。方法雄性Sprague－Daw—ley大鼠45只，随机分为假手术组（n=15）、模型组（n=15）和电针组（11=15）。模型组、电针组用线栓法制备局灶性脑缺血2h再灌注损伤模型。电针组行电针干预7d。各组在造模后3d开始行Morris水迷宫测试。7d后尼氏染色观察海马神经细胞变化，逆转录PCR检测Bcl-2、BaxmRNA表达。结果电针组逃避潜伏期显著低于模型组（P〈0．001），穿过平台次数显著低于模型组（P=0．001）。