论文部分内容阅读
采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6-311＋＋G（d,p）水平,研究了几种锗硅烯与CH3OH的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了锗硅烯中Si=Ge双键的极性对加成反应区域选择性的影响.研究结果表明,锗硅烯可分别与CH3OH的单聚体或二聚体发生加成反应.所有加成反应均从初始亲核或亲电复合物的形成开始.母体锗硅烯H2Si=Ge H2与CH3OH二聚体的加成反应比其与CH3OH单聚体的相应反应在动力学上更容易些,但在其它锗硅烯与CH3OH的反应中情况则相反.用Ph或Si Me3基团取代H2Si=Ge H2