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水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40～200。
高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管
【摘 要】
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水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为2
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程系,杭州八达微波技术器件厂
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年6期
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