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首先采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法（包括PBE、PBESOL、PW91、RPBE、WC）对尖晶石型ZnGa204的结构进行了优化，得到和实验值最接近晶格常数a0=O．8378nm；然后在结构优化的基础上采用GGA．WC计算ZnGa20。的电子结构和光学性质。结果表明，ZnGa2O4为间接带隙复合氧化物，带隙宽为2．335eV；ZnGa204的静态介电常数为3．45，静态折射率为1．85，介电函数吸收边位于4．0eV附近；ZnGa204的反射系数在1913eV附近取得最大值