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氮化镓是宽的直接带隙半导体材料,由于其优异的性能,使之成为制作耐高温、大功率、低能耗电子器件,高速场效应晶体管,高效蓝光发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和紫外光电导探测器等光电子器件的理想材料.低维GaN纳米材料在基础理论研究和纳米技术应用等方面都具有巨大潜力.因此,近年来低维GaN纳米材料的制备和物性研究已成为热点之一.本文报道了低维GaN纳米材料的最新制备方法的研究进展.