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采用基于密度泛函理论（ DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法,计算并分析纤锌矿ZnO和Al2 O3的电子结构（能带结构和态密度）和光学性质（介电常数、光电导率、能量损耗和光吸收）。计算结果表明：ZnO为直接带隙半导体,Al2 O3为间接带隙半导体。 ZnO和Al2 O3介电常数虚部分别在10.21 eV和10.7 eV附近出现了明显的介电峰。 ZnO的介电峰值比Al2 O3的大。 ZnO的复光电导率在10~13 eV出现两个峰,Al2 O3的复光电导率仅在10 eV附近出现了1个明显的吸收峰。 ZnO的