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用ＳｉＮｘ作印化层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光电二极管和Ｎ沟道ＧａＡｓ的高频特性和电性能稳定性问题与ＳｉＮｘ－半导体界面的电荷存储效应有密切关系。
用C—V法观察介质—半导体界面的电荷存储效应
【摘 要】
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用ＳｉＮｘ作印化层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ光电二极管和Ｎ沟道ＧａＡｓ的高频特性和电性能稳定性问题与ＳｉＮｘ－半导体界面的电荷存储效应有密切关系。
【机 构】
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电子部五所,广州,510610
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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1997年6期
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