,A-188 V 7.2Ω· mm2, P-channel high voltage device formed on an epitaxy-SIMOX substrate

来源 :中国物理B（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：heritage102

【作者】

：

Wu Li-Juan Hu Sheng-Dong Zhang Bo Luo xiao-Rong Li Zhao-Ji

【机构】

：

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Scienc

【出处】

：

中国物理B（英文版）

【发表日期】

：

2011年8期

【关键词】

：

dielectric buried layer breakdown voltage self-adapted holes epitaxy-SIMOX

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