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不同剂量BF^+2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析
不同剂量BF^+2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析
来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tkartist
【摘 要】
:
借助SIMS技术,系统地分析了80KeV,2.5×10^14,5×10^14,1×10^15,2×10^15和3×10^15cm^-2BF^+2注入多晶桂栅在900℃,30min热退火条件下,氟在多晶硅栅中的分布剖面,并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。
【作 者】
:
张廷庆
赵元富
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子所,骊山微电子研究所
【出 处】
:
微细加工技术
【发表日期】
:
1998年4期
【关键词】
:
离子注入
二氟化硼
迁移特性
SIMS
多晶硅栅
Ion Implantation
BF+2
Migration Characteristics
SIMS
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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借助SIMS技术,系统地分析了80KeV,2.5×10^14,5×10^14,1×10^15,2×10^15和3×10^15cm^-2BF^+2注入多晶桂栅在900℃,30min热退火条件下,氟在多晶硅栅中的分布剖面,并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。
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