目的观察电针对局灶脑缺血/再灌注大鼠大脑缺血皮质区e NOS、MMP-9表达及CD34+微血管密度变化的影响,探讨电针促进大脑缺血皮质区血管再生的机制。方法 120只SD雄性大鼠随机分为正常组(NC组)、模型组(I/R组)、模型+电针组(I/RE组)、模型+电针+e NOS特异性拮抗剂L-NAME组(I/REL组)。采用线栓法制备大鼠局灶脑缺血/再灌注模型,缺血90min后将I/R、I/RE和I/REL组分各为再灌注1d、3d和7d三个亚组。取大鼠"百会"穴(GV 20)及左侧"四关"穴(合谷LI 4/太冲LR 3)为电针穴位,刺激时间为20min/d,最长持续7d。采用免疫组化法检测各组大脑缺血皮质区e NOS、MMP-9和CD34表达,荧光定量PCR技术检测大脑缺血皮质区e NOS mRNA表达。结果与NC组比较,I/R、I/RE与I/REL组大脑缺血皮质区e NOS mRNA及蛋白表达随再灌注时间延长呈进行性增加,与I/R组比较,I/RE组各时间点e NOS mRNA及蛋白表达均显著升高,在L-NAME作用下,I/REL组e NOS mRNA及蛋白表达明显低于I/RE组。再灌注后1d、3d,I/RE组MMP-9表达明显低于I/R和I/REL组,7d时I/RE组MMP-9表达较I/R、I/REL组升高。I/RE组各时间点CD34+微血管密度升高较I/R组显著,I/REL组微血管密度明显低于I/RE组。结论电针可通过上调局灶脑缺血/再灌注大鼠脑缺血皮质区e NOS和MMP-9表达,促进血管再生。