【摘 要】
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采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管（IGZO-TFT）,通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现
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采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管（IGZO-TFT）,通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5V增加到2.2V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30V偏压3 600s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1V增加到9V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增
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