P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:R845451732
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的P型ZnO薄膜。通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性。对载流子浓度拟合的结果表明氮受主具有75meV的能级深度。通过对各种散射机制下迁移率的讨论,发现由晶粒及其晶界组成的这种结构极大地降低了P型ZnO中载流子的迁移率。
其他文献
2010年11月5~8日,第、12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会在江苏省苏州市召开。会议由中国物理学会发光分会和中国稀土学会发光专业委员会联合主办,中科院苏州纳米所
研究了不同粒度的YAG∶Ce^3+发光粉对LED亮度的影响,结果显示:粒度越大,封装后LED亮度越高;造成这种结果的主要原因是发光粉颗粒的晶格完整性不同。计算了发光粉在硅胶中的沉降
以不同方块电阻的ITO作为阳极,利用真空热蒸发的方法制备了双层结构有机电致发光器件ITO/TPD/Alq3/LiF/A1,定量研究了ITO阳极电阻对器件光电性能的影响。实验结果表明,具有较大阳极
合成了两种以钙为中心金属离子的有机电致发光材料2-(2-羟基苯基)苯并噻唑钙Ca(BTZ)2和2-(2-羟基苯基苯并噻唑)-(1,10-邻菲罗啉)合钙Ca(BTZ)2phen。通过红外光谱、紫外-可见光吸收光谱、
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RH-HEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、
采用真空热蒸发镀膜的方法制备了酞菁铜(CuPc)和富勒烯(C60)构成的平面异质结结构光伏器件,并初步研究了CuPc薄膜生长速率对器件光伏性能的影响,我们发现以较大薄膜生长速率制备的
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄
考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合
利用正向交流(ac)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。通过对复合发光机理和发光二极管p-n结进行分析,得到了发光二极管
氮杂卓化合物存在1H-,2H-,3H-和4H-共4个互变异构体,其中,2H-,3H-系统是最重要的。2H-氮杂卓母体化合物很不稳定,4位存在叔-丁基,并且环上含有丙硫基(PrS-)取代基的2H-氮杂卓,