ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展

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本征的ZnO为高阻材料,电阻率高达10∧12Ω·cm,如何对ZnO进行掺杂,精确控制其电学性能,制备高质量的n型和p型材料是实现ZnO应用的关键。目前,研究表明通过掺杂,n型ZnO的制备已经能够精确控制,但由于ZnO中存在的缺陷,如氧空位和锌间隙原子,ZnO天然呈n型,p型的制备还有一定难度,本文报道了这方面研究的最新进展。
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