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台湾地区科技部日前宣布，台湾地区、日本、沙特阿拉伯等跨国团队，已研究出单层二硫化钼P—N接面，可望取代晶圆芯片成为新世代半导体核心元件，广泛应用在可穿戴设备及手机中。
台湾地区半导体材料研究获重大突破
【摘 要】
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台湾地区科技部日前宣布，台湾地区、日本、沙特阿拉伯等跨国团队，已研究出单层二硫化钼P—N接面，可望取代晶圆芯片成为新世代半导体核心元件，广泛应用在可穿戴设备及手机中。
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2015年9期
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