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研究了高氮HK50合金在等温条件下的层状析出行为。结果表明,层状碳化物析出温度的上限为1200℃,下限约950℃。层状碳化物不是时效过程中的产物。随层状碳化物的析出,层状胞晶的平均生长速度及未反应奥氏体的点阵常数下降。在层状碳化物析出过程中,金属元素发生近程扩散,碳发生远程扩散,氮的分布无显著变化。