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为减少光栅拼接过程中需要控制的物理量，提出了一种利用单基片多次曝光实现光栅拼接的理论方案。这种拼接方法不但降低了光栅拼接难度，而且还避免了拼接完成后小光栅间的相对移动。对该方案的原理进行了分析，并模拟计算了两块光栅在面内的拼缝和转动对远场光斑特性的影响，获得了无像差情况下光栅拼接的精度。
单基片多次曝光实现光栅拼接的理论分析
【摘 要】
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为减少光栅拼接过程中需要控制的物理量，提出了一种利用单基片多次曝光实现光栅拼接的理论方案。这种拼接方法不但降低了光栅拼接难度，而且还避免了拼接完成后小光栅间的相对移
【机 构】
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苏州市职业大学电子信息工程系,苏州大学信息光学工程研究所
【出 处】
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光学仪器
【发表日期】
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2008年6期
【基金项目】
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863计划资助项目（2005AA849023）
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