【摘 要】
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在n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te上已成功地制备了电极长10微米的8位CCD移位寄存器,这种器件在77至140K之间工作。在77K、1至100千赫时钟频率四相工作的条件下,得到了0.996电荷转移
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在n型Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te上已成功地制备了电极长10微米的8位CCD移位寄存器,这种器件在77至140K之间工作。在77K、1至100千赫时钟频率四相工作的条件下,得到了0.996电荷转移频率。在第一相位的势阱工作时,在隧道击穿限以外给输入栅加一个脉冲而产生输入信号,用浮置栅检测信号,然后进行相关双重取样,信号的大小符合推算值。
An 8-bit CCD shift register 10 microns long has been successfully fabricated on n-type Hg_ (0.7) Cd_ (0.3) Te. The device operates between 77 and 140K. At 77K, a clock frequency of 1 to 100 kHz clocked four-phase operating conditions, a charge transfer frequency of 0.996. When working in the potential well of the first phase, an input signal is generated by adding a pulse to the input gate beyond the tunnel breakdown limit. The signal is detected by the floating gate, and then the correlated double sampling is performed. The size of the signal conforms to the estimated value.
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