论文部分内容阅读
针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）器件参数优化的方法。首先利用Sentaurus TCAD软件,对氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）源、栅、漏上淀积氮化硅薄膜（SiN）来分析沟道中应力的变化得出沟道中产生应力的必要条件是沟道上方具有一层薄栅氧化层,其次进行了单轴应变Si NMOSFET的电性能随沟道应力以及沟道长度的变化仿真分