【摘 要】
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采用树脂粘结法制作了L-T型（磁致伸缩层的磁化方向与压电层的极化方向相互垂直）Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状复合磁电传感器。采用等效电路法对磁电系数进行了详细推导,得到
【机 构】
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河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室,天津工业大学理学院
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采用树脂粘结法制作了L-T型（磁致伸缩层的磁化方向与压电层的极化方向相互垂直）Terfenol-D/PZT/Terfenol-D层状复合磁电传感器。采用等效电路法对磁电系数进行了详细推导,得到磁电系数方程。磁电系数方程显示磁电系数决定于Terfenol-D与PZT的性能参数和磁电传感器中两种材料的体积比。为此从理论和实验上分析了偏置磁场、传感器中两种材料所占的体积比以及驱动磁场频率对磁电系数的影响规律。结果表明偏置磁场、传感器中两种材料所占的体积比和驱动磁场频率对磁电传感器磁电系数的影响都很明显,并且磁电
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