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采用射频磁控溅射技术在室温下Si衬底上制备了ZnO薄膜和Er/Yb/Al掺杂的ZnO薄膜。通过对XRD的结构分析表明:未掺杂ZnO薄膜沿c取向性生长,掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长,变为(102)取向性生长的纳米多晶结构;Er/Yb/Al掺杂的ZnO薄膜的晶粒尺寸随着Er元素含量的增多而减小。经AFM对其形貌分析表明:Er^3+、Yb^3+、Al^3+的掺入引起了ZnO薄膜晶格场变化,使薄膜表面粗糙度变大。