【摘 要】
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根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75A10.25N(0001)表面的吸附模型.利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N(0001)表
【机 构】
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南京信息工程大学物理与光电工程学院,南京210044
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根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果,建立了残余气体在Ga0.75A10.25N(0001)表面的吸附模型.利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N(0001)表面的吸附.结果表明,残余气体提高了表面功函数.功函数的变化是由吸附质与表面之间的偶极矩引起的,残余气体与阴极材料形成由体内指向表面的偶极矩,不利于光电子的逸出.在紫外波段,残余气体吸附表面的吸收系数小于Cs原子吸附表面的吸收系数.
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