【摘 要】
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本文综述了我国1982—1987年半导体材料分析的进展,也反映了国外在此期间该领域的主要工作。内容包括概述、沾污控制和分析方法。主要评述化学光谱、原子吸收、活化分析、质
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本文综述了我国1982—1987年半导体材料分析的进展,也反映了国外在此期间该领域的主要工作。内容包括概述、沾污控制和分析方法。主要评述化学光谱、原子吸收、活化分析、质谱分析、电化学分析、光度分析以及气体分析等方法在半导体材料分析领域的应用概况。引用文献529篇。
This article summarizes the progress of semiconductor material analysis in China from 1982 to 1987 and also reflects the major work of this field in foreign countries during this period. Content includes overview, contamination control and analytical methods. The main review of the application of chemical spectroscopy, atomic absorption, activation analysis, mass spectrometry, electrochemical analysis, photometric analysis and gas analysis methods in the field of semiconductor materials analysis. Citation 529 articles.
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