论文部分内容阅读
本文介绍了 AsCl_3精馏装置的改进,通过管道接口及截门的一些改进,使 AsCl_3的产品质量获得提高。经本法制备的 AsCl_3用于制备高纯 GaAs 气相外延片,其电学参数达到国际先进水平。GaAs 的μ_(77K)=2.05×10~5cm~2/V·s,峰值电子迁移率μ=3.78×10~5cm~2/V·s。