【摘 要】
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用γ衍射方法可以分析中子单色器晶体的镶嵌分布。由于γ射线的波长短,满足布拉格衍射条件的入射角比通常X衍射的要小两个量级,加上晶体镶嵌分布需要较高的分辨率,因此要成功
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,中国工程物理研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10476017）
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用γ衍射方法可以分析中子单色器晶体的镶嵌分布。由于γ射线的波长短,满足布拉格衍射条件的入射角比通常X衍射的要小两个量级,加上晶体镶嵌分布需要较高的分辨率,因此要成功进行γ衍射实验,必须要求γ衍射装置各部分之间满足精细的几何布局,这只有通过正确的调试才能实现。在建立正确调试方法的基础上,通过仔细调试,用2 Ci的198Au的较低活度γ源,实现了用γ衍射方法对Ge单晶单色器镶嵌分布的测量,得到镶嵌分布的半宽度约为12＇,这一结果与期望值吻合。
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