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迄今，IGBT一直依靠缩小芯片上所集成单元尺寸的方法提高电流密度，并且一直依靠减薄芯片本身厚度的方法减小导通电阻。但是，一位功率半导体技术人员表示：“减小导通电阻的方法已经接近极限。”许多有关人士都认同这一看法。最近，主要采用减薄芯片以减少衬底电阻分量的方法减小导通电阻，但是，芯片的厚度已经减薄到170μm。据三菱电机公司（IGBT的主要生产厂家）功率器件制作所主管总工程师Gourab Majumdar说：“为了保持耐压达到1200V，芯片的减薄极限是120μm。”现在，可供削减的余量只剩下50μm。Ma