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期刊论文
4V驱动功率MOSFET的特点和注意事项
4V驱动功率MOSFET的特点和注意事项
来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chunwei_song
【摘 要】
:
<正> 一般的功率MOSFET的偏置电压是10V系列的,把栅·源间的偏置电压加到10V以上时,漏·源间呈饱和状态。在应用方面,用功率MOSFET驱动螺线管或继电器的时候,MOSFET
【作 者】
:
曹年裕
范子坤
【出 处】
:
集成电路应用
【发表日期】
:
1990年3期
【关键词】
:
功率
MOSFET
场效应器件
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<正> 一般的功率MOSFET的偏置电压是10V系列的,把栅·源间的偏置电压加到10V以上时,漏·源间呈饱和状态。在应用方面,用功率MOSFET驱动螺线管或继电器的时候,MOSFET本身是用TTL或者CMOS等5V电源系列的逻辑集成电路进行驱动的,驱动电压是4—5V。因此,用4V的
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