【摘 要】
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本文叙述了在InP(100)面上外廷生长Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As调制掺杂结构,采用RHEED强度振荡、x光双晶衍射、束流计定标等手段实现了对材料组分的严格控制
【机 构】
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中国科学院物理所 北京 100080
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本文叙述了在InP(100)面上外廷生长Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As调制掺杂结构,采用RHEED强度振荡、x光双晶衍射、束流计定标等手段实现了对材料组分的严格控制。HEMT器件的结果为:单位跨导g_m=200mS/min,最大截止频率43GHz。
In this paper, the modulation structure of Al 0.48 In 0.52 As / Ga 0.47 In 0.53 As As grown on the InP (100) surface is described. The effects of RHEED intensity oscillation, X-ray double crystal diffraction, Metering and other measures to achieve the material components of the strict control. HEMT device results: unit transconductance g_m = 200mS / min, the maximum cut-off frequency of 43GHz.
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