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采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型（100）InAs衬底上生长了InAs0．96Sb0．04薄膜．在1．5～5．5eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε（E）．基于电子带间跃迁和联合态密度理论，采用S．Adachi的MDF模型对s（E）进行了拟合，并计算了各种临界点电子跃迁对ε（E）的贡献，结果表明：实验数据与模型吻合得非常好，E1和E1＋△1跃迁发生在布里渊区（BZ）的∧轴或L点，分别对应于M1型临界点∧5^v→∧6^c（或L4.5→L6^c）和∧6^v→∧6^