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为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变，同时避免基底弯典效应的影响，设计了一种双光束探测干涉仪，通过反馈控制和锁相检测技术，实现了高稳定度、高分辨力的目标，最小可探测形变可达到0.001nm。系统采用计算机控制测量和数据处理，使测量更加佰、准确。
检测薄膜压电形变的双光束探测干涉仪的设计
【摘 要】
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为了检测压电薄膜的在电场作用下的微小形变，同时避免基底弯典效应的影响，设计了一种双光束探测干涉仪，通过反馈控制和锁相检测技术，实现了高稳定度、高分辨力的目标，最小可探测形
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,香港理工大学应用物理系
【出 处】
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光电工程
【发表日期】
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2002年5期
【基金项目】
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香港特区政府创新科技基金资助(ITF AF147/98)资助
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