【摘 要】
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焦平面成像器件技术已经发展了三十余年.红外焦平面材料体系从PbSnTe、InSb、PtSi、HgCdTe到Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InGaAs、QWIP、VOx以及铁电材料,探测机理从光子型发展到热敏
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焦平面成像器件技术已经发展了三十余年.红外焦平面材料体系从PbSnTe、InSb、PtSi、HgCdTe到Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体InGaAs、QWIP、VOx以及铁电材料,探测机理从光子型发展到热敏型,读出电路从SiCCD发展到CMOS,焦平面规模从当初的32×32发展到今天的320×256、2048×2048,探测波段从单一红外发展到多色探测,甚至扩展到紫外领域.新的材料、新的探测结构层出不穷,发展十分迅猛.
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