应变对GaN1-xPx三元合金混溶隙的影响

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纤锌矿结构GaN1-xPx三元合金具有宽的可调制带隙,可用于从紫外到红外的发光器件。由于GaN和GaP间较大的晶格失配,使得具有高P组分的GaN1-xPx三元合金的生长非常困难。混溶隙的计算方法通常是通SRS模型求解自由能和DLP方法来确定相互作用参数。本文考虑到GaN1-xPx三元合金的应变和应变弛豫,对SP-S模型略作修正,在自由能项中加入了应变能项,又引入了应变弛豫因子。
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