MOSFET导通电阻偏高因素的分析和改进

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Mosfet作为一种常见的半导体功率器件,被广泛应用于开关电源、电源转换和电源控制等领域.在功率电路中,Mosfet作为一种多子功率开关器件,导通电阻作为Mosfet至关重要的参数之一,会影响到应用电路的功耗和稳定性.随着半导体行业技术的迅速发展,Mosfet的导通电阻已经达到1mR级别以内.因此,封装制程的优化和精确测试导通电阻显得尤为重要.
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