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成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP／InGaAs单异质结晶体管制作工艺中．在Vce=1．1V，Ic=33．5mA的偏置条件下，发射极尺寸为1．4μm×15μm的器件，其f1达到210GHz．这种器件非常适合高速低功耗方面的应用，例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等．
f=210GHz的超高速InP／InGaAs单异质结晶体管
【摘 要】
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成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP／InGaAs单异质结晶体管制作工艺中．在Vce=1．1V，Ic=33．5mA的偏置条件下，发射极尺寸为1．4μm×15μm的器件，其f1达到210GHz．这种器件非常
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年3期
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