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本文采用脉冲激光沉积(PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响.结果表明,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数.X射线衍射和透射电子显微镜分析表明,氧压为30 Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜,LN(006)衍射峰的半高宽为0.21°.这是首次报道不施加缓冲层和诱导电场采用PLD技术在硅衬底上生长出了结晶质量良好的完全c轴取向的LN薄膜.