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在研究脉冲光源照射的半导体中产生的光电动势时，广泛采用电容法。半导体放在电容器的两个极板之间，其中一个极板半透明，通过这块极板用调制光束照射半导体，并研究电容器两极板间产生的电信号。在这种情况下,当半导体表层吸收光时，依靠表面光电动势和登伯效应。
观察激光辐射对金属和半导体作用时的光电效应
【摘 要】
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在研究脉冲光源照射的半导体中产生的光电动势时，广泛采用电容法。半导体放在电容器的两个极板之间，其中一个极板半透明，通过这块极板用调制光束照射半导体，并研究电容器两极板间产生的电信号。在这种情况下,当半导体表层吸收光时，依靠表面光电动势和登伯效应。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1989年26期
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