【摘 要】
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通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响。实验结果表明:当基底加热温度为295℃、溅射电压为250V
【机 构】
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华南理工大学电子与信息工程学院,上海曙光机械制造厂有限公司
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通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响。实验结果表明:当基底加热温度为295℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8%即主要工艺参数皆位于最佳范围时,在厚度为5mm的普通浮法玻璃基底上,可制备出表面电阻为18Ω、可见光透过率超过80%的ITO薄膜。XPS测试结果表明:该ITO薄膜的内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别在5.8%和85%左右。
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