【摘 要】
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金属半导体金属(MSM)紫外探测器件在航空航天、导弹追踪、紫外杀毒等方面有广泛的应用,而金属电极的选择对器件性能影响较大。在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,然后制作不同电极(I
【机 构】
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邵阳学院机械与能源工程学院,高效动力系统智能制造湖南省重点实验室
【基金项目】
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国家级大学生创新创业训练项目(201910547046),湖南省教育厅一般项目(18C0801),邵阳市科技局项目(2018ZD12)
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金属半导体金属(MSM)紫外探测器件在航空航天、导弹追踪、紫外杀毒等方面有广泛的应用,而金属电极的选择对器件性能影响较大。在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,然后制作不同电极(In-In,Ni-Ni,Ni-In)MSM紫外光电探测器。3种电极探测器测试结果显示In-In电极器件具有较大的暗电流,其5~10 V偏压下暗电流在10^-8A量级,而Ni-Ni电极器件的暗电流在10^-9A量级,这归结于Ni金属具有较高的功函数,与GaN接触时,在接触面形成较高的肖特基势垒,从而降低了暗电流。不对称电极(Ni-In)器件
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