【摘 要】
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采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜。通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO2薄膜内应力的影响。采用压
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采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜。通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO2薄膜内应力的影响。采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面应力。结果表明：制备SiO2薄膜时,工艺参数影响SiO2薄膜的成分,当O2/Ar流量比值为1.25,衬底温度为300℃,射频功率为100 W时,可以制备出化学计量比的SiO2薄膜,此时薄膜中的内应力较小;制备的SiO2薄膜呈压应力状态,镀SiO2薄膜可以改变蓝宝石的表面应力,蓝宝石的表面应力已由原来的拉应
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