【摘 要】
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以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅（a-Si1-xCx：H）薄膜。采用傅里叶转换红外
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅（a-Si1-xCx：H）薄膜。采用傅里叶转换红外光谱（FTIR）和紫外-可见（UV-Vis）光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析。结果表明,Si-C键的强度和光学带隙随着CH4/SiH4流量比的增加而增大;但是,随着射频功率的增加,a-SiC：H薄膜的光学带隙反而略有减小。
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