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waleedE.等人在LaAlO3(001)基板上通过乙二醇改型Sol—gel旋转涂覆工艺制得Mn掺杂CeO2薄膜,并对这种稀释磁半导体的性能进行评估。Mn离子为19/5~13%(原子分数),研究这个成分范围对结构、表面形貌、光性能及磁性的影响,借助扫描电镜、能谱色散、原子力显微镜、X-射线及磁性测量等方法进行了研究。