【摘 要】
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用ＬＰＣＶＤ方法生长了掺Ａｓ多晶Ｓｉ薄膜，通过能谱分析，扩展电阻测量，扫描电子显微镜观测，发现用ＬＰＣＶＤ方法生长的掺Ａｓ多晶Ｓｉ可获得极高的掺Ａｓ浓度，Ａｓ对衬底材料（ＳｉＯ２或多晶Ｓｉ）具有超常的低温快扩散特性，掺Ａｓ多晶Ｓｉ经高温退火
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用ＬＰＣＶＤ方法生长了掺Ａｓ多晶Ｓｉ薄膜，通过能谱分析，扩展电阻测量，扫描电子显微镜观测，发现用ＬＰＣＶＤ方法生长的掺Ａｓ多晶Ｓｉ可获得极高的掺Ａｓ浓度，Ａｓ对衬底材料（ＳｉＯ２或多晶Ｓｉ）具有超常的低温快扩散特性，掺Ａｓ多晶Ｓｉ经高温退火，晶粒大小有反常的变化，利用这些特性可成功地解决ＬＰＣＶＤ法生长掺Ａｓ多晶Ｓｉ所遇到的生长速度愈来愈慢，Ｓｓ浓度愈来愈高，难以生长较厚掺Ａｓ多晶Ｓｉ等问题。
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