V2O5和SiO2—V2O5导电膜的制备及性质

来源 :华东化工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sky_ywt

【摘要】

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离子交换法制得V_2O_5凝胶和SiO_2含量低于50％(mol)的SiO_2-V_2O_5凝胶。借助透射电镜和电子衍射仪,研究了凝胶的结构,并用DTA-EGA和XRD分析了热处理过程中凝胶的物理化学变化

【作者】

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杜永娟张燕娟王坚周梅芳刘晓东

【机构】

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华东化工学院无机材料系,中科院上海光机所

【出处】

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华东化工学院学报

【发表日期】

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1992年A00期

【关键词】

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电导率制备导电薄膜 V_2O_5gel electrical conductivity ion exchange process dip coating V

【基金项目】

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国家自然科学基金

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离子交换法制得V_2O_5凝胶和SiO_2含量低于50％(mol)的SiO_2-V_2O_5凝胶。借助透射电镜和电子衍射仪,研究了凝胶的结构,并用DTA-EGA和XRD分析了热处理过程中凝胶的物理化学变化。浸涂法制得V_2O_5和SiO_2-V_2O_3导电膜。凝胶具纤维状结构并含有V_2O_5·H_2O晶子。热处理温度影响膜的状态和电导率。电导率随温度升高,在305～315℃达最大值0.3 Ω~(-1)cm~(-1),温度进一步提高时将导致V_2O_5晶化和电导率下降。SiO_2的掺入提高膜的

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