FP-JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响

来源 :郑州大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:leongiggs
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提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下FP-JTE终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系,场板可减弱击穿电压对注入剂量的敏感性. A boundary element method for terminal simulation of high voltage junction without ionization is proposed. The influence of injection dose in the extended FP-JTE terminal structure on breakdown voltage is analyzed. The results show that the breakdown voltage is linear with the injected dose The field plate can reduce the sensitivity of the breakdown voltage to the injected dose.
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