0.35μm BiCMOS工艺的器件建模

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Lv619

【摘要】

：

针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电

【作者】

：

苏海伟杨立斌唐威吴龙胜刘佑宝

【机构】

：

西安微电子技术研究所

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

2009年03期

【关键词】

：

BiCMOS BSIM GP

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针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电路,完成用于试验流片及参数提取的测试版芯片的设计,最终利用测试芯片的测量数据提取模型参数,分别建立高精度的MOS及Bipolar器件SPICE模型.

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