【摘 要】
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采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的(Ba0.7Sr0.3)TiO3(BST)铁电薄膜.研究了BST铁电薄膜的制备工艺,分析了BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌.测试了其介电特
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采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的(Ba0.7Sr0.3)TiO3(BST)铁电薄膜.研究了BST铁电薄膜的制备工艺,分析了BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌.测试了其介电特性,测得的相对介电常数-温度曲线表明制备的(Ba0.7S0.3)TiO3铁电薄膜的居里温度在室温附近,约30°c处.
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