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采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术的制备了高质量的SOI材料,研究了在该材料上采用2μmCMOS工艺制备的不同沟道长度的P沟MOSFET的^60Coγ射线总剂量辐照特性,表明经5kGy(Si)辐照后,器件仍有特性,但阈值电压有较大的漂移,这主要是由栅氧化层中的辐照感生电荷而引起,不同的沟长度PMOSFET的辐照特性有基本相同,经一段时间室温退火,阈值电压出现回漂。