【摘 要】
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为了研究Sr在Si（100）表面的稳定吸附结构和吸附特性,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,通过改变Sr在Si（100）表面的覆盖度和吸附位置,计算了Si（100）表面吸附Sr的吸附能
【基金项目】
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国家自然科学基金（51264032,51361022）, 江西省自然科学基金（20152ACB20014）
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为了研究Sr在Si（100）表面的稳定吸附结构和吸附特性,采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法,通过改变Sr在Si（100）表面的覆盖度和吸附位置,计算了Si（100）表面吸附Sr的吸附能、电子态密度、电子布居、电荷密度和差分电荷密度。计算结果表明,三种吸附位置中,空位的吸附能最低,Sr与Si（100）表面的作用力最大,结构最稳定;覆盖度越低,吸附能越小,Sr与Si（100）表面的作用力越大,吸附结构越稳定。Sr、Si原子间的作用力主要由Sr的3d轨道电子和Si的3s、3p轨道电子杂化耦合作用（d
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