波长在1.8～2.3μm之间的高功率二极管激光器有许多新应用,如材料加工、加速烘干、外科手术、红外对抗及用于泵浦固态和半导体碟片激光器。本文给出了MBE生长的量子阱(AlGaIn)(AsSb)二极管激光器的结果,其单发射器的宽度在90～200μm之间;还对具有20%或30%填充因子的激光器靶条进行了一定处理。单发射器和激光靶条在连续工作时最大电光转换效率超过30%,在2200nm时一个30%填充靶条的功率甚至超过了15W。由于对这些中红外激光器的脉冲工作模式的研究持续升温,本文研究了不同脉冲时间和占空比的1940nm单发射器和激光器靶条。没有COMD的单发射器在电流为30A、脉冲时间为500ns、占空比为1%时功率超过9W。以前,大多数应用都需要光纤耦合输出功率,因此,对基于单发射器或激光靶条的光纤耦合模块进行了研制。基于单发射器的模块在波长为1870～1940nm之间时,在200μm芯径、NA=0.22时的耦合输出为600mW。在2200nm的输出功率为450mW,更值得一提的是基于GaSb的二极管激光器的输出波长超过2μm。几个激光靶条结合,600μm芯径光纤在1870nm输出激光20W。最后,我们在1870nm采用7靶条得到了50A准连续模式下的功率超过85W。