【摘 要】
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为了提高Y-Gd-Hf-O阴极耐电子轰击能力,该文通过高能球磨、压制和高温氢气烧结,制备了一种Sc2O3掺杂Y-Gd-Hf-O压制式直热式阴极.该阴极在1550?°C工作温度下,经过10?W电子连续轰击480?h后,发射电流密度下降至初始值的87.5％,表现出良好的耐电子轰击能力.阴极表面的微观形貌、成分组成分析表明,经压制后氢气气氛烧结,阴极表面呈陶瓷状结构形态,有利于提高阴极的耐电子轰击能力;经高温烧结、激活后表面形成了n型半导体Y2O3-x层,对改善阴极表面导电性、降低逸出功和提高热发射有促进作用.
【机 构】
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中国科学院空天信息创新研究院 北京 100190;中国科学院大学 北京 100049;中国科学院空天信息创新研究院 北京 100190;九江学院电子工程学院 九江 332005
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为了提高Y-Gd-Hf-O阴极耐电子轰击能力,该文通过高能球磨、压制和高温氢气烧结,制备了一种Sc2O3掺杂Y-Gd-Hf-O压制式直热式阴极.该阴极在1550?°C工作温度下,经过10?W电子连续轰击480?h后,发射电流密度下降至初始值的87.5％,表现出良好的耐电子轰击能力.阴极表面的微观形貌、成分组成分析表明,经压制后氢气气氛烧结,阴极表面呈陶瓷状结构形态,有利于提高阴极的耐电子轰击能力;经高温烧结、激活后表面形成了n型半导体Y2O3-x层,对改善阴极表面导电性、降低逸出功和提高热发射有促进作用.
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